Главное внимание уделено полупроводниковым оптоэлектронным приборам и устройствам, предназначенным для использования в микроэлектронной аппаратуре телекоммуникационных и информационных систем.

Для студентов технических специальностей вузов телекоммуникаций и информатики, изучающих курсы «Физика», «Физические основы электроники», «Электроника», «Оптоэлектронные и квантовые приборы и устройства», а также обучающихся по направлению 210400 «Телекоммуникации».

СОДЕРЖАНИЕ:

ПРЕДИСЛОВИЕ - 6
ВВЕДЕНИЕ - 7
Глава 1. ВВЕДЕНИЕ В ОПТОЭЛЕКТРОНИКУ
1.1. Введение в волоконную оптику - 8
1.2. Особенности оптической электроники - 9
1.3. История развития оптоэлектроники - 11
1.4. Современное состояние оптоэлектронной элементной базы - 14
1.5. Система обозначений оптоэлектронных приборов индикации - 16
1.6. Система обозначений фотоприемных приборов и оптронов - 16
Тесты - 17

Глава 2. ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ОПТОЭЛЕКТРОНИКИ
2.1. Фотометрические характеристики оптического излучения - 18
2.2. Энергетические характеристики оптического излучения - 24
2.3. Энергетические и световые параметры - 25
2.4. Колориметрические параметры - 26
2.5. Когерентность оптического излучения - 28
2.6. Квантовые переходы и вероятности излучательных переходов - 31
2.7. Ширина спектральной линии - 36
2.8. Использование вынужденных переходов для усиления электромагнитного поля - 37
2.9. Механизм генерации излучения в полупроводниках - 40
2.10. Прямозонные и непрямозонные полупроводники - 44
2.11. Внешний квантовый выход и потери излучения - 46
2.12. Излучатели на основе гетероструктур - 48
2.13. Поглощение света в твердых телах - 50
2.14. Излучательная и спектральная характеристики - 51
2.15. Параметры оптического излучения - 53
Тесты - 54

Глава 3. ОПТИЧЕСКИЕ ВОЛНОВОДЫ
3.1. Законы отражения и преломления света - 56
3.2. Конструкция планарного симметричного оптического волновода - 58
3.3. Эффект Гуса-Хенхена - 59
3.4. Условие поперечного резонанса для планарного волновода - 60
3.5. Конструкция цилиндрического диэлектрического волновода из стекловолокна - 61
3.6. Уширение импульсных сигналов в стекловолокнах - 63
3.7. Рефракция света - 66
3.8. Формы распределения профиля абсолютного показателя преломления в стекловолокнах - 68
3.9. Стационарное волновое уравнение для электрической компоненты поля Е световой волны и его решение - 69
3.10. Причины ослабления импульсных оптических сигналов в процессе их распространения по стекловолокнам - 71
3.11.Фотонно-кристаплическое волокно - 81
3.12. Сравнительная характеристика коаксиальных медных кабелей и стекловолокон - 83
3.13. Разрушение волоконных световодов под действием лазерного излучения - 84
Тесты - 85

Глава 4. ИСТОЧНИКИ НЕКОГЕРЕНТНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ
4.1. Источники света - 86
4.2. Основные характеристики и параметры светодиодов - 87
4.3. Конструкции светодиодов - 96
4.4. Основные схемы возбуждения светодиодов - 97
4.5. Выбор типа светодиода - 98
4.6. Электрическая модель светодиода - 101
4.7. Светодиоды инфракрасного излучения - 102
4.8. Светодиодные источники повышенной яркости и белого света - 103
Тесты - 109

Глава 5. ПРИБОРЫ КОГЕРЕНТНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ
5.1. Физические основы усиления и генерации лазерного излучения - ПО
5.2. Структурная схема лазера - 112
5.3. Лазеры на основе кристаллических диэлектриков - 116
5.4. Жидкостные лазеры - 117
5.5. Газовые лазеры - 120
5.6. Устройство и принцип действия полупроводникового инжекционного монолазера - 122
5.7. Устройство и принцип действия полупроводникового лазера с гетероструктурой - 124
5.8. Волоконно-оптические усилители и лазеры - 126
5.9. Светоизлучающие диоды для волоконно-оптических систем - 130
5.10. Сравнительная характеристика лазеров и светодиодов - 134
Тесты - 137

Глава 6. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ФОТОПРИЕМНЫЕ ПРИБОРЫ
6.1. Принцип работы фотоприемных приборов - 139
6.2. Характеристики, параметры и модели фотоприемников - 141
6.3. Фотодиоды на основе р-n-перехода - 147
6.4. Фотодиоды p-i-n-структурой - 149
6.5. Фотодиоды Шотгки - 152
6.6. Фотодиоды с гетероструктурой - 154
6.7. Лавинные фотодиоды - 155
6.8. Фототранзисторы - 157
6.9. Фототиристоры - 160
6.10. Фоторезисторы - 161
6.11. Основные характеристики и параметры фоторезистора - 163
6.12. Фотоприемные приборы с зарядовой связью - 165
6.13. Фотодиодные СБИС на основе МОП-транзисторов - 166
6.14. Пиротехнические фотоприемники - 169
Тесты - 171

Глава 7. ОПТРОНЫ
7.1. Устройство и принцип действия оптронов - 173
7.2. Типовая структурная схема оптрона - 175
7.3. Классификация и параметры оптронов - 177
7.4. Электрическая модель оптрона - 179
7.5. Резисторные оптопары - 181
7.6. Диодные оптопары - 182
7.7. Транзисторные оптопары - 183
7.8. Тиристорные оптопары - 185
Тесты - 186

Глава 8. ИНДИКАТОРНЫЕ ПРИБОРЫ
8.1. Жидкокристаллические индикаторы - 189
8.2. Электролюминесцентные индикаторы - 203
8.3. Плазменные панели и устройства на их основе - 207
8.4. Электрохромные индикаторы - 210
Тесты - 212

Глава 9. ПРИМЕНЕНИЕ ОПТОЭЛЕКТРОННЫХ ПРИБОРОВ
9-І. Устройство и принцип действия оптоэлектронных генераторов - 213
9.2. Применение оптоэлектронных приборов в аналоговых ключах и регуляторах - 216
9.3. Применение оптронов для выполнения логических функций - 218
9.4. Применение оптронов как аналогов электрорадиокомпонентов - 220
9.5. Устройство и принцип действия оптоэлектронных усилителей - 221
9.6. Устройство и принцип действия оптоэлектронных цифровых ключей - 223
9.7. Оптоэлектронные приборы в устройствах для измерения высоких напряжений и управления устройствами большой мощности - 225
9.8. Применение инфракрасных диодов - 226
9.9. Приемники цифровых волоконно-оптических систем связи - 232
9.10. Принципы цифровой оптической записи и воспроизведения информации с компакт-дисков - 235
9.11. Фотоэлектрические элементы и системы - 254
Тесты - 260
Ответы - 262
Список сокращений - 263
Условные обозначения - 265
Литература - 267

Автор: Игнатов А.Н.
Издательство: Эко-Трендз
Серия: учебное пособие
Год издания: 2006
Страниц: 272
Формат: DJVU/rar
Размер: 5.1 Mb

http://letitbit.net/download/3850.302e0a5ba4a0f1ce38567b74a382/optoel_prib.rar.html